型号:HC012N06L参数：60V60A ，类型：N沟道场效应管，内阻9mR， 低结电容1030pF， 封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

HC012N06L优势替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04  CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06  替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K 

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深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】，供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 *，质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购，低内阻，结电容小，采用沟槽工艺，性能*