品牌
生产厂家厂商性质
深圳市所在地
InGaAs雪崩光电二极管
特点：
高速
平面正照型
TO-Can封装或带尾纤输出
zui大可用增益达到20
应用：
光通讯接收设备
CATV接收机
OTDR
光电特性(T = 22℃)：
| 参 数 | 符号 | 测试条件 | zui小值 | 典型值 | zui大值 |
| 光谱响应范围（nm） | λ | 1000 | 1700 | ||
| 光敏面直径(um) | φ50 | ||||
| 响应度(A/W) | Re | λ=1.55um,M=10,φ=1uw | 8 | 8.5 | |
| 击穿电压(V) | VBR | ID=100uA, φ=0 | 30 | 60 | |
| 击穿电压温度系数(V/℃) | δ | TC=-40~+85℃ | 0.1 | 0.15 | |
| 暗电流(nA) | ID | M=10, φ=0 | 1 | 10 | |
| 总电容(pF) | Ctot | M=10, φ=0,f=1MHz | 0.6 | 1 | |
| 响应时间(ns) | fT | M=10, φ=0, λ=1.55um | 0.15 | 0.3 | 0.5 |
| zui大可用增益 | Mmax | VR=0.98VBR | 20 | ||
| *工作电压(*Vbr) | VR | M=10, φ=1, λ=1.55um | 0.9 | 0.95 | |
note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数
InGaAs光电探测器模块
InGaAs 光电探测器模块集成了InGaAs 雪崩光电探测器、探测器驱动、信号检测放大、信号放大整形输出等部分,可应用于连续或者脉冲光信号的检测、放大整形及温度传感等领域。输出高稳定电压信号给用户,免去客户在使用雪崩光电探测器时的弱信号处理环节。电路久经考验,使用方便。全金属外壳可防止电磁辐射。电路适用范围宽，可驱动各种型号的InGaAs APD。也可根据客户需求进行定制。
特 点
·高响应度，高灵敏度 | ·低噪音 |
·高性能，低价格 | ·金属外壳，防电磁辐射 |
·5V电压输入 | ·使用方便 |
性能指标
参数 | zui小 | 典型 | zui大 | 单位 | |||
APD响应波长范围 | 900 | 1550 | 1700 | nm | |||
APD响应度 | 7 | 8.5 | 10 | uA/uW | |||
APD响应光敏面* | 50 | 80 | 200 | um | |||
APD驱动电压** | 38 | - | 65 | V | |||
输入工作电压 | 4.5 | 5 | 5.5 | V（DC） | |||
工作温度 | 0 | - | 50 | ℃ | |||
储藏温度 | -20 | - | 70 | ℃ | |||
zui小输入光功率*** | -60 | -40 | - | dBm | |||
输入饱和光功率**** | - | 1 | 5 | mW | |||
输出饱和电压 | - | - | 3.8 | V | |||
带宽 | DC-1 | DC-10 | DC-50 | DC-100 | DC-200 | DC-1000 | MHz |
噪音密度 | 10000 | 500 | 80 | nV/rt.Hz | |||
输入光接口 | 1：FC/APC 2：FC/PC可选 | ||||||
输出接口 | 1：SMA 2：BNC可选 | ||||||
光纤类型 | 1:SMF-28e+ 2:MM62.5 3:MM50 可选 | ||||||
电路放大倍数***** | 0-100万倍 | ||||||
模块尺寸 | 100 *85*20mm or 150*120*20mm or 70*70*50mm | ||||||
尺寸: L100 x W85 x H20 mm
架构: 金属外封
光学输出: 光纤输入或者适配器输入
电接口: 标准DC 5V插座
尺寸: L150 x W120 x H20 mm
架构: 金属外封
光学输出: 光纤输入或者适配器输入
电接口: 标准DC 5V插座
尺寸: L70 x W70 x H50 mm
架构: 金属外封
光学输出: 空间窗口输入或者适配器输入
电接口: 标准DC 5V插座
