CX7509采用SOP一8封装，大功率16W。CX7509使用原边取样来进行精确的恒流、恒压控制，可以省去一般应用中的光耦与TL431。在恒流模式下，输出功率可由CS脚外接的取样电阻Rs设定。在恒压模式下，芯片的多种工作模式可以保证较高的整体转换效率。

QC18W降压方案系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。CX7509 内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP），VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI 特性和开关的软启动控制。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。CX7509 采用了抖频技术，能够有效改善系统的 EMI 性能。

QC18W降压方案是一颗电流模式PWM 控制芯片，内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 18W 以内的方案。CX7509 在 PWM 模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。CX7509 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。

特点
l 全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 100mW
l 内置 650V 高压功率管
l 4ms 软启动用来减少MOSFET 上 Vds 的应力
l 抖频功能，改善EMI 性能
l 跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗
l 无噪声工作
l 固定 65KHz 开关频率
l 内置同步斜坡补偿
l 低启动电流，低工作电流
l 内置前沿消隐(LEB)功能
l 过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）
l VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD 电压箝位
l 过温保护（OTP）
l SOP8 无铅封装