SP6648HF18W旅充方案内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振 荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二 极管反向恢复电流对电路的影响。SP6648HF 是一颗电流模式 PWM 控制芯片，内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 18W 以 内的方案。SP6648HF 在 PWM 模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者 轻载时，工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的 工作效率。SP6648HF 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以 此来进一步减小待机时的功耗。

SP6648HF18W旅充方案特点

l    全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 100mW

l    内置 650V 高压功率管

l    4ms 软启动用来减少 MOSFET 上 Vds 的应力

l    抖频功能，改善 EMI 性能

l    跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗

l    无噪声工作

l    固定 65KHz 开关频率

l    内置同步斜坡补偿

l    低启动电流，低工作电流

l    内置前沿消隐(LEB)功能

l    过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）

l    VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD 电压箝位

l    过温保护（OTP）

l    SOP8 无铅封装