CX7509 PD/QC18W降压方案

CX7509CX7509 PD/QC18W降压方案

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2018-09-11 11:56:39
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产品简介

CX7509采用SOP一8封装,大功率16W。CX7509使用原边取样来进行精确的恒流、恒压控制,可以省去一般应用中的光耦与TL431。

详细介绍

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CX7509采用SOP一8封装,大功率16W。CX7509使用原边取样来进行精确的恒流、恒压控制,可以省去一般应用中的光耦与TL431。
CX7509在恒流模式下,输出功率可由CS脚外接的取样电阻Rs设定。在恒压模式下,芯片的多种工作模式可以保证较高的整体转换效率。
CX7509此外,芯片内置有线压降补偿,由此取得良好的负载调整率。CX7509在恒流模式下工作于PFM状态,在恒压模式下工作于PWM状态,轻载时降频工作。

难得糊涂 2018/9/11 11:42:19

一、概述
CX7509 是一颗电流模式PWM 控制芯片,内置 650V 高压功率 MOSFET,应用于功率在 18W 以内的方案。CX7509 在 PWM 模式下工作于固定开关频率,这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时,工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式,以此来减小轻载时的损耗,提高整机的工作效率。CX7509 在启动和工作时只需要很小的电流,可以在启动电路中使用一个很大的电阻,以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路,当电路工作于大占空比时,避免次谐波振荡的发生,改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时(Leading-edge blanking time),消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。CX7509 采用了抖频技术,能够有效改善系统的 EMI 性能。系统
的跳频频率设置在音频(22KHz)以上,在工作时可以避免系统产生噪音。CX7509 内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(VDD OVP),VDD 过压箝位,欠压保护(UVLO),过温保护(OTP)等,通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的EMI 特性和开关的软启动控制。


二、特点
l 全电压范围(90Vac-265Vac)输入时待机功耗小于 100mW
l 内置 650V 高压功率管
l 4ms 软启动用来减少MOSFET 上 Vds 的应力
l 抖频功能,改善EMI 性能
l 跳频模式,改善轻载效率,减小待机功耗
l 无噪声工作
l 固定 65KHz 开关频率
l 内置同步斜坡补偿
l 低启动电流,低工作电流
l 内置前沿消隐(LEB)功能
l 过载保护(OLP),逐周期限流保护(OCP)
l VDD 过压保护(VDD OVP),欠压保护(UVLO),VDD 电压箝位
l 过温保护(OTP)
l SOP8 无铅封装

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