LD-A Hellma氟化钙大尺寸毛坯440mm口径

Hellma氟化钙大尺寸毛坯440mm口径

　　德国HellmaMaterials氟化钙（CaF₂）单晶光学晶体，源自德国耶拿百年光学工艺，承袭原肖特光刻级晶体核心技术，是全球半导体深紫外光刻、高功率准分子激光、红外光谱、空间天文光学领域光学基材。

　　产品覆盖Lithotec®LD-A/LD-B/LD-C全系列光刻级氟化钙单晶，支持圆形窗口片、矩形棱镜、大尺寸晶体毛坯、定制异形元件加工，晶体原生纯度≥99.999%，金属杂质总量＜1ppm，可适配SUSS光刻机、ASML浸润式光刻设备、准分子激光加工设备配套光路组件。

　　LD-A（Lithotec-DUVGradeA）是Hellma原厂顶级193nmArF深紫外光刻专用氟化钙单晶品级，承袭原肖特SchottLithotec光刻晶体技术，德国耶拿全流程自主生产，为7–45nm先进制程DUV光刻机定型特级基材，是ASML、SUSSMicroTec、蔡司光刻设备指定光学材料。

　　定位：半导体浸润式/干式193nm光刻物镜、高重频准分子激光最高等级单晶；

　　晶向标准：出厂默认优选<111>晶向（光刻行业黄金取向），可定制<100>；

　　纯度：6N超高纯合成CaF₂，金属杂质、氢氧根杂质控制至ppb级别，杜绝深紫外吸收色心缺陷。

　　LD-A/LD-B/LD-C三等级区分（采购选型对照）

　　LD-A（本次主推款）

　　适配：7–45nmArFi浸润式光刻机、SUSSMA300量产光刻设备、高能量高频准分子激光；

　　LD-B

　　适配：248nmKrF光刻、PCB激光钻孔、常规紫外工业激光；

　　指标：双折射≤2nm/cm，透过率≥99%/cm，满足中精度紫外光路。

　　LD-C

　　适配：真空紫外光谱仪、红外检测、实验室小试光刻机（SUSSMA8）；

　　指标：基础深紫外透光，性价比高，无超高激光耐久要求场景。

　　LD-A产品核心优势

　　193nm深紫外透光，极低能量损耗

　　针对193nm光刻波段专项提纯优化，内部透过率≥99.3%/cm，无固有吸收峰与杂散光，大幅降低激光光路能量损耗，提升光刻机单位时间晶圆产出效率。

　　纳米级光学均匀性，杜绝成像畸变

　　折射率均匀性Δn≤1×10⁻⁶/cm，应力双折射≤0.5nm/cm，消除光刻偏振像差、波前畸变，保障晶圆曝光线宽一致性，降低芯片图形不良报废率。

　　超高激光耐久，超长使用寿命

　　193nm激光损伤阈值≥10J/cm²，可承受千万次高频ArF激光持续辐照，长期量产无发黑、色心、透光衰减问题，对比LD-B/国产氟化钙，设备光学窗口更换周期提升3–6倍，减少产线停机维护成本。

　　优异热学稳定，适配连续量产工况

　　热导率达9.71W/(m・K)，高功率激光照射下快速散热，无局部热膨胀偏移；经超长时间梯度退火，内部应力释放，24小时不间断产线工况性能长期稳定。

　　超宽光谱兼容，一材多用

　　透光范围覆盖130nm真空紫外至8μm中红外，同时适配深紫外光刻、红外检测、可见光校准多波段光路，减少整机光学元件种类，降低整机物料成本。

　　核心性能优势

　　超宽光谱高透射（130nm深紫外～9μm中红外）

　　193nm光刻关键波长内部透过率≥99.3%/cm，248nm、355nm紫外、1-6μm红外波段透过率稳定≥95%，无固有吸收峰，单种材料可覆盖UV/VIS/IR多波段光路，减少光学元件数量，降低整机光路损耗。

　　超低色散+低应力双折射，杜绝光束畸变

　　折射率nd=1.43384，阿贝数高达95.23，色差抑制能力为普通光学玻璃5倍；经过精密退火工艺，应力双折射≤0.5nm/cm，波前畸变量极低，满足7nm-45nm先进半导体光刻纳米级曝光精度要求。

　　超高激光耐久，适配高功率准分子激光

　　针对193/248nmArF/KrF激光专项优化，激光损伤阈值远高于国产氟化钙，长期大功率激光辐照无发黑、散射加剧问题，大幅延长光刻机、激光加工设备光学窗口使用寿命。

　　稳定理化耐受，适配严苛工况

　　耐600℃高温（真空环境可达800℃），耐强酸腐蚀、抗宇宙高能粒子辐照；硬度高、抗热冲击，可用于真空腔体、航天星载多光谱相机、工业高温激光产线。

　　大尺寸定制能力

　　单晶成品最大直径250mm，多晶毛坯可达440mm，厚度10-150mm按需加工；支持<111>/<100>任意晶体定向，表面研磨/抛光等级按需定制。

Hellma氟化钙大尺寸毛坯440mm口径