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霍尔效应传感器（磁场测量传感器）
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杭州谱镭光电技术有限公司(Hangzhou SPL Photonics Co.,Ltd)创立于2008年，经过近12年公司同仁共同的的努力和发展，公司在光谱仪器、激光器系统及配件，生物光学和量子光学等领域和应用有非常多的经验和解决方案，同时也组建了一支专业的销售和服务团队。
公司秉承专业服务客户为上的目标，一直严格要求，以尽善尽美为工作方向，和客户一起前行。目前公司在光谱仪器和激光检测系统方面有自己的研发能力，开发出了便携式土壤重金属分析仪（LIBS）、便携式红宝石标压系统、显微拉曼测量系统等。同时公司时刻关注新的技术和产品，目前代理包括微型光纤光谱仪、红外光谱仪，飞秒激光器，纳秒激光器，可调谐激光器，窄线宽激光器，He-Ne激光器等各种激光器和配件。同时代理各类光电检测设备，包括功率计、能量计、光束质量分析系统、脉宽测量探测器和自相关仪、偏振态测量系统。还有代理各类光学配件，包括光学元器件，位移系统，滤波片。
目前公司主要代理品牌如下：
美国海洋光学：光纤光谱仪及配件；
美国CEO：激光二极管，二极管侧泵模块，各类纳秒激光器，激光控制器；
奥地利Montfrot：适用于便携的超紧凑纳秒高能量激光器，大功率皮秒、飞秒激光器；
美国EOT：高品质隔离器、各类光电探测器；
美国DataRay: 光束质量分析系统及配件；
德国CarbonVision：高品质碳纤维面包板及定制产品；
丹麦DFM：单频激光器；
德国GRINTECH：自聚焦透镜、生物医学用定制透镜系统；
法国IRISIOME:皮秒可编程调谐激光器；
德国LIOP：超稳定高精度光学调整架及光机械产品；
德国MRC：光束自稳定系统；
立陶宛QLI:高能量紧凑风冷纳秒激光器，可五倍频到213nm；
美国Axsun：OCT用高速扫频激光光源；
专谱ProSP：各类定制光谱系统；
立陶宛Integrated Optics：超紧凑稳定的半导体和DPSS激光器；
德国Class 5：高功率飞秒激光器系统，OPCPA系统。
详细信息
霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。
Figure 1. sensor on test assembly
产品特点:
• 超高分辨率
• 超低噪音性能
• 可在极低温条件下使用
• 大动态范围
• 高线性
• 超低功耗运行
简述:
利用石墨烯固有的低噪声特性，无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应，并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 的温度和磁场工作范围。
应用包括：
• 精密磁场测量
• 场梯度和边缘场的精确映射
• 高精度位置，旋转和速度感应
• 低温下的超低功率场测量
优点:
可满足各种应用需求。可以利用的优点包括：
• 可以在 < 1.8 K - 353 K的温度下运行
• 在大磁场范围(> 9 T)内ppb磁场变化的分辨率
• 低至 10 nA的工作电流，节省了功率，仅产生5 pW的散热
• 平面霍尔效应可忽略不计，有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向
需要特定要求，请联系我们info<info>
性能特点:
| Parameter | Symbol | Value (typical) | Unit | Notes |
| Maximum operating temperature range | T | 1.8 to 353 | K | Performance guaranteed within this range. Operation <1.8 K is possible |
| Measurable field range | B | >+/- 9 | T | See Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearity |
| Open Circuit Sensitivity | S | 1100 | V/AT | @ room temperature. see Fig 3 for change with temperature |
| Open Circuit Hall Voltage | VH | 110 | mV | I=IN ａnd B=1 T, increases with reducing temperature |
|
Spectral Noise Density |
SDT | 7 |
µ𝑇⁄√𝐻𝑧 | 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) |
| 0.7 | 1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) | |||
| 0.3 | 10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) | |||
| 0.07 | 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) | |||
|
Resolution, based on SDT on a 1 T field |
RSND | 7 |
ppm | 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) |
| 0.7 | 1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) | |||
| 0.3 | 10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) | |||
| 0.07 | 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) | |||
| RMS noise | T2 | 40 | T | 0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) |
| 28 | 10 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) | |||
| Linearity of Hall Voltage % of full scale | FL | <0.5 | % | -1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T range |
| Corrected Linearity |
| <0.01 | % | -1 to 1 T, after 3rd order correction |
| Planar Hall Effect | HPL | <10 | µT | At I=IN , 1 T |
| Nominal Supply Current | IN | 0.1 | mA | Can be operated down to I=10 nA |
| Maximum Supply Current | Imax | 1 | mA |
|
| Supply Side Internal Resistance | RIN | 22 | kΩ | B=0 T |
| Hall Side Internal Resistance | ROUT | 22 | kΩ | B=0 T |
|
Offset Voltage |
VR0 | 8 | mV | Typical offset voltage at I=IN ａnd B=0 T |
| 0.6 | mV | Min offset voltage at I=IN ａnd B=0 T | ||
| 34 | mV | Max offset voltage at I=IN ａnd B=0 T | ||
| Temperature Coefficient of Sensitivity | TCS | -4.7 | V/AT/K | @ room temperature, IN |
高场和低温性能
Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T
Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T.
封装信息
有效面积：1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。
|
| Pin | Notes |
| VIN+ | 1 or 11 | Input voltage can be supplied with either polarity |
| VIN- | 11 or 1 | |
| VH+ | 6 or 16 | Hall voltage polarity will depend on VIN polarity ａnd field polarity |
| VH- | 16 or 6 |
