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SiC基单层石墨烯电极
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详细信息
产品介绍
产品 · 参数
SiC基单层石墨烯电极
SiC基单层石墨烯电极是在SiC基底上生长 1 个 15 x 15 mm2单层石墨烯样品。SiC基单层石墨烯电极是由碳（C）原子组成的晶体平面，sp2键在蜂窝晶格中结合，其中碳与三个平面内键结合，而第四个在垂直方向上是不饱和键。这种晶体结构负责石墨烯的独特特性。在本产品中，石墨烯在Si端接SiC基板上形成。形成的碳层称为界面层或缓冲层，它是绝缘的，因为它的碳原子有三分之一与SiC基板共价结合。外延石墨烯是指在界面层之上形成的碳层，具有隔离单层石墨烯典型的线性分散。
本产品为极耐用电极，适合多种使用。如果涂覆了涂层，无论采用何种沉积技术，都可以通过强酸或碱溶液（取决于涂层性质）去除涂层，而不会影响石墨烯层。请注意，如果应用的电势高于 +2V，SiC 上的单层石墨烯可能会以电化学方式降解。
产品配置
标准套件
1、覆盖率： 99%
2、厚度变化：< 10%
3、电导率类型：n型
4、薄板载体密度：2 x 1012 × 5 x 1012厘米-2
5、移动性： 1500 - 2200 厘米2/V
6、基板类型：4H-SIC HPSI
7、基板厚度：0.5 毫米
8、基板方向：轴上
9、基板电阻率范围：± 1 x 105 °cm
10、基板微管密度（MPD）：标准
11、基板精加工：双面抛光 Si 面 CMP
