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GaN HEMT动态电阻测试主板
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半导体分立器件测试系统，晶体管静态参数测试仪，美国STI5000系列测试机维修、计量校准、夹具定制等相关技术服务，非标测试方案搭建！
西安中昊芯测科技有限公司，是一家专业从事半导体电性能测试设备开发制造、电参数测试方案搭建、综合测试分析服务于一体的技术服务型企业，
核心业务为半导体分立器件电学参数测试设备的开发制造，产品主要涉及分立器件测试仪、MOS管测试仪、IGBT测试仪、晶闸管测试仪、光耦测试仪、
继电器测试仪、功率循环、环境老化、雪崩浪涌等测试系统，产品具有高速智能、高精度、宽量程等技术优势，已经广泛应用于高校、科院院所、家电、
新能源汽车、轨道交通、半导体器件设计制造公司的器件测试验证、参数评估、电子厂来料检验、实验室失效分析、器件选型、参数配对、寿命预估等诸多领域。
同时提供高性价比的器件测试服务，测试项目包括功率半导体器件的电学测试、失效分析、可靠性、环境试验等。
我司与西安电力电子所，西安交通大学微电子学院有着深度合作关系，在半导电测试领域有着超过10年的行业经验。本着科技创新，服务无限的经营理念，
我司积极响应国家提出的中国制造2025战略，致力于提供高性能、低成本的国产测试设备，为我国半导体测试设备国产化贡献一份微薄力量！
详细信息
用于GaN HEMT动态电阻测试
GaN HEMT动态参数测试母板●
ALLTOPLUS
2.GaN HEMT动态参数测试母板测试能力
测试对象 | GaN HEMT，兼容 GaO MOSFET等 | |
|---|---|---|
测试项目 | 1. 开关时间、损耗、动态导通电阻 | 测试条件：ID: 0A~200A, VDS: 0V~1200V, VGS: 0~20V；测试参数：td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、Etotal、dv/dt、di/dt；负载：阻性、感性、阻感；测试模式：单脉冲、双脉冲、多脉冲；测试精度：时间：0.1ns，损耗：1nJ。 |
测试项目 | 2. 栅极电荷 | 测试条件：ID: 0A~200A, VDS: 0V~1200V, VGS: 0~20V测试参数：Qgon、Qgs、Qgd：1nC~100uC、Vpl: 0~20V负载：阻性、感性；测试模式：单脉冲、双脉冲、多脉冲；测试精度：电荷：0.1nC，电压：0.1V。 |
测试项目 | 3. 短路电流 | 测试条件：tp: 0.2us~50us, VDS: 0V~1200V，Isc: 10~1000A测试参数：Isc、Esc、ΔVDS；测试精度：电流：0.1A，电压：0.1V，损耗：1nJ。 |
