晶体管特性图示仪功能

晶体管特性图示仪功能

用途：

晶体管特性图示仪可用来测定晶体管的共集电、共基、共发射的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流 ICBO、ICEO、IEB0和各种击穿电压 BUCBO、BUCEO、BUEBO等；还可以测定二管、稳压管、可控硅、隧道二管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。

晶体管特性图示仪功能

构成：

晶体管特性图示仪主要由集电扫描发生器,基阶梯发生器,同步脉冲发生器,X轴电压放大器,Y轴电流放大器,示波 管,电源及各种控制电路等组成. 各组成的主要作用如下:

(1)集电扫描发生器的主要作用,是产生集电 扫描电压,其波形是正弦半波波形,幅值可以调节, 用于形成水平扫描线.

(2)基阶梯发生器的主要作用,是产生基阶梯 电流信号,其阶梯的高度可以调节,用于形成多条曲 线簇.

(3)同步脉冲发生器的主要作用,是产生同步脉冲,使扫描发生器和阶梯发生器的信号严格 保护同步.

(4)X轴电压放大器和Y轴电流放大器的主要作 轴电压放大器和Y 用,是把从被测元件上取出的电压信号(或电 流信号)进行放大,达到能驱动显示屏发光之 所需,然后送至示波管的相应偏转板上,以在屏面上形成扫描曲线.

(5)示波器的主要作用,是在荧屏面上显示测 试的曲线图象.

(6)电源和各种控制电路,电源是提供整机的能源供给,各种控制电路是便于测试转换和调节.

技术指标：

（l）Y轴编转因数：

集电电流范围：0.01～1000毫安/度，分十六档，误差≤±3%；

集电电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3%；

基电压范围：0.01～0.5V/度，分六档，误差≤±3%；

基电流或基源电压：0.05V/度，误差≤±3%；

外接输入：0.1V/度，误差≤±3%；

（2）X轴偏转因数：

集电电压范围：0.01～20V/度，分十一档，误差≤±3%；

基电压范围：0.01～0.5V/度，分六档，误差≤±3%；

基电流或基源电压：0.5V/度，误差≤±3%；

外接输入： 0.1V/度，误差≤±3%。

（3）基阶梯信号：

阶梯电流范围：0.001～ 200mA/度，分十七档；

阶梯电压范围：0.01～0.2V/级，分五档；

串联电阻：10Ω～22KΩ，分 24档；

每族级数：4～12连续可变；

每秒级数：100或200，共3档；

阶梯作用：重复、关、单族，共三档；

性：正、负两档；

误差≤±5%．

（4）集电扫描信号：

峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调；

电流容量： 0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）；

功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5%；

（5）电源：交流 220V ±10%，50Hz±20Hz。

功耗：260VA．

环境温度：－10 ℃～+40℃

相对湿度：≤80%