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HUSTEC-3000 SIC碳化硅器件参数测试仪
- 型号
- HUSTEC-3000
igbt静态参数测试仪，10us浪涌电流测试仪，分立器件测试仪，栅极电阻/电容测试仪
深圳市华科智源科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务，坐落于改革开放之都-中国深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，功率循环，雪崩及浪涌测试设备，产品以高度集成化、智能化、高速、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等，客户行业涉及轨道交通，地铁，电驱动，新能源汽车，风力发电，变频器，家电等领域；华夏神州，科技兴国，智能创新，源远流长；华科智源公司核心团队由华中科技大学，复旦大学等国内高校研究所、行业应用专家等技术人才组建，致力于中国功率半导体事业，积极响应国家提出的中国制造2025战略，投身于半导体测试设备国产化。
详细信息
功能及主要参数：
适用碳化硅二极管、IGBT模块/MOS管等器件的时间参数测试。
主要技术参数：
IGBT开关特性测试
开关时间测试条件
Ic：50A～1000A Vce：200V～2000V
Vgs：-10V～＋20V Rg：1R～100R可调(可选择4档及外接)
负 载：感性负载阻性负载可切换
电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH
电阻范围：0.5R、1R、2R、4R
IGBT开关特性测试参数
开通延迟td(on): 20nS -10uS
上升时间tr: 20nS -10uS
开通能量Eon： 0.1-1000mJ
关断延迟时间td(off)：20 nS -10uS
下降时间 tf： 20nS -10uS
关断能量Eoff：0.1-1000mJ
二极管反向恢复特性测试
FRD测试条件：正向电流IF：50A～1000A；反向电压 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；负载：感性负载可选
电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH
FRD测试参数
反向恢复时间trr：20nS -2uS
反向恢复电荷Qc：10nC~10uC；
反向恢复电流Irm：50A~1000A
反向恢复损耗Erec：0.1mJ～1000mJ
产品优势
国内能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。
