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SteeVac260/360/460 真空镀膜仪不锈钢腔体系列
- 型号
- SteeVac260/360/460
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东谱科技成立于2017年，是一家专业的光电谱学类仪器及技术方案服务商，由专业研究人员和行业工程师联合发起，团队核心成员均获得光机电类硕博士学位。公司目前拥有光电、瞬态、超快为核心的光谱、迁移率测试、变温、智造、光源与激光产品线，具备为光伏材料与器件、发光材料与器件、光探测、光催化、半导体材料等行业的技术研究与生产需要提供表征测试分析仪器及测试方案的能力。
详细信息
产品简介
真空镀膜仪不锈钢腔体系列SteeVac系列可提供200A蒸镀电流，蒸发温度可600°C，能够满足大部分有机材料的蒸镀，也可按客户需求定制更高蒸镀温度；真空腔室采用优质不锈钢材料，采用方形结构，内部空间充足；可设置16组不同的蒸发材料，满足各种复杂的蒸镀条件；搭配分子泵可达优于5*10-4Pa的真空度，适应绝大部分蒸发材料所需真空环境；配备全自动抽真空系统；可以实现软件点击开启抽真空，全自动根据真空度检测机械泵、分子泵、闸板阀、电磁阀的智能开启，实现鼠标一键式抽真空。
真空镀膜仪不锈钢腔体系列配备手套箱防抽爆自动检测系统。
产品特点
□ 自动切换掩膜系统；
□ 自动开关腔体，自动抽真空、退真空系统；
□ 自动镀膜工艺；
□ *的错误检测系统
□ 优异的镀膜均匀性；
□ 提供定制化服务。
产品应用
□ 有机分子薄膜制备；
□ 半导体薄膜制备；
□ 光学薄膜制备；
□ 金属电极制备；
□ 典型样品：OLED、钙钛矿、薄膜电池、薄膜晶体管等。
功能参数
□ 蒸发源数量：2~16组可选；
□ 蒸发电流：0~200A连续可调；
□ 蒸发电源模组：1~10组可选，功率600W,1200W,1500W可选；
□ 极限真空：优于4*10-5Pa；
□ 样品与蒸发源距离：固定或0~70mm可调；
□ 钨舟挡板：按蒸发源标配，2~16组；
□ 气压保护：进口压力开关，正负压可设置，有效保护真空环境；
□ 抽气速率：常压至5*10-2Pa≤10min；
□ 掩膜库：4位/6位/8位可选；
□ 真空保持：停止真空系统后12小时≤2 Pa；
□ 门板控制：手动、手动自动集成可选。
规格型号
参数/规格 | SteeVac 260 | SteeVac 360 | SteeVac 460 |
镀膜方式 | 多源热蒸发镀膜 | 多源热蒸发镀膜 | 热蒸发镀膜 |
腔体结构 | 方形，前后开门，可配合手套箱安装 | 方形，前后开门，可配合手套箱安装 | 方形，前后开门，可配合手套箱安装 |
材质用料 | 优质真空不锈钢 | 优质真空不锈钢 | 优质真空不锈钢 |
真空腔室尺寸 | L260*W262*H351 | L360*W363*H486 | L460*W464*H635 |
电极分布 | 扇形分布，相互间挡板隔离，避免交叉污染 | 扇形分布，相互间挡板隔离，避免交叉污染 | 扇形分布，相互间挡板隔离，避免交叉污染 |
低温源（有机/氧化物等）数量 | 最多6个蒸发源 | 最多9个蒸发源 | 最多13个蒸发源 |
低温源温度范围 | 室温~600°C | 室温~600°C | 室温~600°C |
低温源切换 | PC控制/手动 | PC控制/手动 | PC控制/手动 |
高温源（金属）数量 | 1~3可选 | 1~4可选 | 1~6可选 |
基片台（样品架）方案一 | φ161mm，圆形 | φ224mm，圆形 | φ287mm，圆形 |
基片台（样品架）方案二 | 80*80mm,方形 | 110*110mm，方形 | 150*150mm，方形 |
基片台（样品架）加热 | 常温/加热，加热可选配室温~400℃或室温~200℃温控范围 | ||
基片台（样品架）高度 | 样品架与源表面距离：≤330mm；装片方式：侧插方式 | ||
样品托及掩模版 | 70×70mm，可放置65×65mm样品 | 100×100mm，可放置90×90mm样品 | 134×134mm样品或放16片25×25mm样品 |
参数/规格 | SteeVac 260 | SteeVac 360 | SteeVac 460 |
基片台挡板 | 程控，气缸+磁流体驱动，传动稳定，密封可靠 | 程控，气缸+磁流体驱动，传动稳定，密封可靠 | 程控，气缸+磁流体驱动，传动稳定，密封可靠 |
基片台升降 | 固定间距或0~30mm可调 | 固定间距或0~50mm可调 | 固定间距或0~70mm可调 |
基片尺寸 | ≤30×30mm | ≤30×30mm | ≤30×30mm |
膜厚不均匀性 | ≤5% | ≤5% | ≤5% |
备用接口 | 4 | 6 | 6 |
门板控制 | 手动/自动/手自一体 | 手动/自动/手自一体 | 手动/自动/手自一体 |
系统控制 | PC软件；速率自动控制，功率控制，温度控制。 | PC软件；速率自动控制，功率控制，温度控制。 | PC软件；速率自动控制，功率控制，温度控制。 |
蒸镀过程控制 | 各操作环节，掩膜板更换、样品架旋转及定位、电源功率调节等均可在软件界面完成 | 各操作环节，掩膜板更换、样品架旋转及定位、电源功率调节等均可在软件界面完成 | 各操作环节，掩膜板更换、样品架旋转及定位、电源功率调节等均可在软件界面完成 |
总功率 | ≥5KW | ≥8KW | ≥10KW |
抽气速率 | 5.0×10-2Pa≤5min | 5.0×10-2Pa≤8min | 5×10-2Pa≤10min |
极限真空 | 优于4.0×10-5Pa | 优于4.0×10-5Pa | 优于4.0×10-5Pa |
漏率 | ≤6.5×10-8Pa·L/S | ≤6.5×10-8Pa·L/S | ≤6.5×10-8Pa·L/S |
工作真空 | ≥5×10-4Pa，从大气到工作真空时间≤30min | ||
系统保压 | 系统抽到极限后，停泵关机12小时后，系统真空度保持≤2Pa | ||
参数/规格 | SteeVac 260 | SteeVac 360 | SteeVac 460 |
分子泵类别 | 油/脂润滑、磁悬浮可选 | 油/脂润滑、磁悬浮可选 | 油/脂润滑、磁悬浮可选 |
冷却系统 | 搭配循环水冷却 | 搭配循环水冷却 | 搭配循环水冷却 |
循环水参数 | ≤4LMP，温度范围-5°C~45°C，温控精度0.1% | ≤4LMP，温度范围-5°C~45°C，温控精度0.1% | ≤4LMP，温度范围-5°C~45°C，温控精度0.1% |
掩膜库一 | 4位 | 4位 | 4位 |
掩膜库二 | 6位 | 6位 | 6位 |
掩膜库 | 8位 | 8位 | 8位 |
真空系统 | 分子泵+机械泵，PC软件控制 | 分子泵+机械泵，PC软件控制 | 分子泵+机械泵，PC软件控制 |
蒸发电源 | 控制方式：恒流模式； 数量：按客户要求； 功率：600W,1200W，1500W可选； 精度：程控精度为量程的0.01%。 | 控制方式：恒流模式； 数量：按客户要求； 功率：600W,1200W，1500W可选； 精度：程控精度为量程的0.01%。 | 控制方式：恒流模式； 数量：按客户要求； 功率：600W,1200W，1500W可选； 精度：程控精度为量程的0.01%。 |
典型：金属源×4套，有机源×4套，内门，外门下方各放两只有机源，左右各放两只金属源；有机源可开舱调整角度，带有标尺，范围竖直到指向样品中心。 | |||
真空保持 | 12小时≤2Pa | 12小时≤2Pa | 12小时≤2Pa |
系统保护 | 气压、高压保护，控制系统全程即时报警 | 气压、高压保护，控制系统全程即时报警 | 气压、高压保护，控制系统全程即时报警 |
参数/规格 | SteeVac 260 | SteeVac 360 | SteeVac 460 |
气路控制 | 超高真空气动电磁阀 | 超高真空气动电磁阀 | 超高真空气动电磁阀 |
电气柜 | 与系统一体式集成化，节省空间 | 与系统一体式集成化，节省空间 | 与系统一体式集成化，节省空间 |
腔室测温 | 可选高精度PT100测温，软件实时显示温度值 | 可选高精度PT100测温，软件实时显示温度值 | 可选高精度PT100测温，软件实时显示温度值 |
膜厚仪 | 腔室内可安装1~8个探头标配优质石英晶振膜厚控制仪；可选国产或进口监测控制仪 | 腔室内可安装1~8个探头标配优质石英晶振膜厚控制仪；可选国产或进口监测控制仪 | 腔室内可安装1~8个探头标配优质石英晶振膜厚控制仪；可选国产或进口监测控制仪 |
真空计显示范围 | 1.0×105Pa~1.0×10-5Pa | 1.0×105Pa~1.0×10-5Pa | 1.0×105Pa~1.0×10-5Pa |
机架 | 进口铝型材组装，整体简洁大方 | 进口铝型材组装，整体简洁大方 | 进口铝型材组装，整体简洁大方 |
显示屏 | 搭配工业级屏幕支架，可任意角度旋转及随意升降，满足不同用户的舒适要求 | 搭配工业级屏幕支架，可任意角度旋转及随意升降，满足不同用户的舒适要求 | 搭配工业级屏幕支架，可任意角度旋转及随意升降，满足不同用户的舒适要求 |
AluVac/SteeVac拓展介绍
1、真空镀膜仪在器件研究的应用
（1）、半导体与电子器件领域
芯片电极与互联层制备：
采用磁控溅射技术沉积 Ti、TiN、Cu、Al 等金属薄膜，作为芯片的栅电极、源漏电极及金属互联线。
半导体封装与钝化层制备：
利用电子束蒸发或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积 SiO₂、Si₃N₄薄膜，作为芯片表面钝化层，防止水汽、杂质侵蚀。
MEMS 器件结构制备：
通过溅射或蒸发沉积金属、绝缘薄膜，构建 MEMS 传感器的敏感结构与电极。
（2）、光电材料与器件领域
太阳能电池薄膜制备：
钙钛矿太阳能电池：采用真空热蒸发沉积 Au、Ag 等金属电极，或溅射 ITO 透明导电薄膜，提升光电转换效率与器件稳定性。
薄膜太阳能电池：通过磁控溅射沉积 CdTe、CIGS 等吸收层薄膜，搭配 ZnO 缓冲层，实现高效光吸收与载流子分离。
发光器件（LED/OLED）制造：
LED：采用电子束蒸发沉积 GaN 基外延层或 ITO 透明电极，溅射 Au 键合层，提升光提取效率与电流分布均匀性。
OLED：通过真空热蒸发沉积有机发光层）、空穴传输层与电子传输层，精准控制薄膜厚度以优化发光性能。
光探测器与光学元件镀膜：
沉积红外吸收膜、增透膜，提升光探测器的响应率与光学元件的透光效率。
（3）、新能源材料领域
固态电池电极与电解质制备：
采用磁控溅射沉积 LiCoO₂、LiFePO₄等正极薄膜，或溅射 Li₃PO₄、LiPON 等固态电解质薄膜，解决液态电解质漏液、安全隐患问题。
超级电容器电极修饰：
溅射或蒸发沉积活性炭、石墨烯复合薄膜，或金属氧化物薄膜，提升电极比表面积与导电性，增强储能容量。
2、产品主要测试功能特点
（1）、真空环境精准控制
配备多级真空泵组，极限真空度可达 10⁻⁷Pa，满足高纯度薄膜制备需求；部分型号支持真空梯度控制，适配不同镀膜阶段的压强要求。
采用 PID 闭环反馈控制真空度与气体流量，搭配高精度真空计与 MFC，确保镀膜过程中真空环境与气体氛围的稳定性，减少薄膜缺陷。
（2）、多镀膜技术集成
兼容多种镀膜技术，如磁控溅射、电子束蒸发、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积等，可根据薄膜材料灵活选择。
支持多靶材配置，可实现多层薄膜交替沉积，适配复杂器件结构制备。
（3）、高精度镀膜调控
沉积速率可精准调节，结合 QCM 实时监控与反馈调节，薄膜厚度控制精度可达 ±0.5nm，满足微纳器件对薄膜尺寸的严苛要求。
样品台支持旋转与公转，提升大面积样品的镀膜均匀性；部分型号配备偏压电源，通过施加负偏压改善薄膜致密性与附着力。
（4）、高兼容性与适配性
样品台兼容晶圆、芯片、薄膜、柔性基底、三维器件等多种形态样品，支持室温至 500℃的温度调控，适配半导体、光电、新能源等多领域需求。
可更换不同材质靶材与反应气体，实现金属膜、氧化物膜、氮化物膜、硫化物膜等多种功能薄膜的制备。
（5）、自动化与智能化操作
配备专用控制软件，支持预设镀膜工艺参数，自动完成抽真空、镀膜、泄压全流程，减少人为操作误差。
支持数据实时采集与存储，兼容 Excel、Origin 等软件导出，方便工艺优化与数据追溯。
（6）、安全稳定运行
内置多重安全保护机制，包括真空低液位报警、超温 / 超压保护、气体泄漏检测、应急泄压装置，保障设备长期稳定运行与操作人员安全。
采用模块化设计，真空泵、靶材、控制系统等部件可独立拆卸与维护，降低设备故障率与维护成本。
