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SE-VE光谱椭偏仪
本设备基于单旋转补偿器调制技术一次性获取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光谱,可实现基底上单层到多层薄膜的膜厚、光学常数的快速分析表征。 1) 光谱范围:400-800nm 2) 入射角:65° 3) 光斑大小:200μm 4) 调制技术:PCRSA调制技术 5) 重复性测量精度:0.01nm(100nm 硅基SiO2样件,30次重复测量) 6) 膜厚测量范围:0.1nm—20μm 7) 单点测量时间:<5s 8) 光源:高性能进口卤素灯光源(卤素灯寿命:2,000h) 9) 可视化样品显微对准系统 2、 样品台规格: 1) 基板尺寸:支持样件尺寸到Ф180mm 2) Z轴位移行程:0-10mm 3) 样件台俯仰角度:> ±2° 3、 测控与分析软件 1) 光谱测量能力:PSI/DELTA椭偏光谱、N/C/S光谱、反射率光谱测量 2) 数据分析能力:具备单层、多层膜厚、光学常数(折射率、消光系数)分析能力 3) 支持常用光学常数模型以及常用振子模型(柯西模型、洛伦兹模型、高斯模型等),并支持图形化多振子混合模型拟合功能 4) 支持多组分薄膜与体材料光学常数、组分比例分析功能; 核心算法包含严格耦合波模型、等效介质模型 5)支持用户自定义,软件不限制拷贝数量,支持windows10操作系统