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TCXO高精度温补晶振
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详细信息
产品概述
TCXO高精度温补晶振通过内部精密温度控制电路实现高精度高稳定性的有源晶振，该温补晶振的准确度高达0.1ppm，频率范围包括20kHz～400MHz，在小尺寸低功耗以及高精度、高稳定方面具有突出优势，是一种高性价比的参考时钟，主要用于各种数字通信设备、航天时钟系统和频率计量仪表等测试设备。
关键词：温补晶振，TCXO高精度温补晶振，温补压控晶振
产品功能
a) 频点范围：20kHz～400MHz；
b) 常规频点：5MHz，10MHz，12.8MHz，13MHz，16.384MHz，20MHz，25MHz，40MHz，50MHz，100MHz。
典型应用
c) 工业领域：通讯、电信、航海、航空、导航、仪器仪表、认证系统、便携式终端、传感器、调制解调器、磁盘驱动器、数字设备等。
d) 科研与计量：5G设备无线模块、服务器、测量设备、遥测、遥感、遥控、原子钟等。
e) 汽车领域：汽车GPS导航、胎压监测、行车记录仪、汽车导航、倒车雷达、油控系统、汽车音响系统、车防盗系统等。
f) 消费领域：智能手环、蓝牙耳机、智能穿戴、无人机、摄影机、投影仪、手表与时钟、普通电话机、呼叫器、音响设备、PS5游戏机等。
产品特点
1) 良好的开机特性；
2) 低功耗，小体积；
3) 环境适应性强。
技术指标
型号 | SYN2012-10MHz-T-3-E-1-TC |
频率 | 10MHz |
波形 | 方波(COMS/TTL) |
电平 | H≥2.4V,L≤0.4V（15pF负载） |
上升/下降时间 | ≤10ns |
占空比 | 50% |
频率准确度 | ≤±0.1ppm（出厂校准，@25℃） |
年老化 | ≤±1ppm |
温度特性 | ≤±1ppm |
电压特性 | ≤±0.1ppm（电源电压变化±5%） |
负载特性 | ≤±0.1ppm（负载变化±10%） |
起振时间 | ≤5ms |
相位噪声 | ≤-135dBc/Hz @1KHz |
工作电压 | DC3.3V（可选DC5V）±10% |
工作电流 | ≤30mA |
工作温度 | -40℃～+85℃ |
存储温度 | -40℃～+85℃ |
封装尺寸 | 20.3*12.5*8 Max.mm |
型号 | SYN1212-10MHz-T-3-E-1-TC |
频率 | 10MHz |
波形 | 方波(COMS/TTL) |
电平 | H≥2.4V,L≤0.4V（15pF负载） |
上升/下降时间 | ≤10ns |
占空比 | 50% |
频率准确度 | ≤±0.1ppm（出厂校准，@25℃） |
年老化 | ≤±1ppm |
温度特性 | ≤±1ppm |
电压特性 | ≤±0.1ppm（电源电压变化±5%） |
负载特性 | ≤±0.1ppm（负载变化±10%） |
起振时间 | ≤5ms |
相位噪声 | ≤-135dBc/Hz @1KHz |
工作电压 | DC3.3V（可选DC5V） |
工作电流 | ≤30mA |
工作温度 | -40℃～+85℃ |
存储温度 | -40℃～+85℃ |
封装尺寸 | 12.8*12.8*5.5 Max.mm |
型号 | SYN2012-100MHz-T-3-E-1-TC |
频率 | 100MHz |
波形 | 方波(COMS/TTL) |
电平 | H≥2.4V,L≤0.4V（15pF负载） |
上升/下降时间 | ≤5ns |
占空比 | 50% |
频率准确度 | ≤±0.5ppm（出厂校准，@25℃） |
年老化 | ≤±1ppm |
温度特性 | ≤±1ppm |
负载特性 | ≤±0.2ppm（负载变化±10%） |
起振时间 | ≤2ms |
工作电压 | DC3.3V（可选DC5V） |
工作电流 | ≤30mA |
工作温度 | -40℃～+85℃ |
存储温度 | -40℃～+85℃ |
封装尺寸 | 20.3mm*12.5mm*8mm |
型号 | SYN0705-25MHz-T-3-E-1-TC |
频率 | 25MHz |
波形 | 方波(COMS/TTL) |
阻抗 | 10kΩ/15pf |
电平 | H≥0.9V,L≤0.1V（15pF负载） |
上升/下降时间 | ≤8ns |
占空比 | 40%～60% |
频率准确度 | ≤±1ppm（出厂校准，@25℃） |
年老化 | ≤±0.5ppm |
温度特性 | ≤±1ppm |
电压特性 | ≤±0.2ppm（电源电压变化±5%） |
负载特性 | ≤±0.2ppm（负载变化±10%） |
相位噪声 | ≤-115dBc/Hz @100Hz ≤-130dBc/Hz @1KHz ≤-145dBc/Hz @10KHz |
工作电压 | DC3.3V（可选DC5V） |
工作电流 | ≤40mA |
工作温度 | -40℃～+85℃ |
存储温度 | -40℃～+85℃ |
封装尺寸 | 7.0mm*5.0mm*2.2mm |
