RV2I 赫尔纳供应意大利OMAL磁传感器RS2I

赫尔纳供应意大利OMAL磁传感器RS2I 

赫尔纳供应意大利OMAL磁传感器RS2I

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OMAL磁传感器主要产品：

OMAL磁传感器

OMAL连接器

OMAL磁传感器产品型号：

RS2I

RV2I

OMAL磁传感器产品特点：

外壳：PA

工作电压：10/110V AC/DC – 10/240V AC/DC

负载：10 W 直流/8 VA 交流

开关电流：400 mA，25°C

工作温度：-25℃/+90℃

防护等级：IP67 EN60529 (DIN 40050)

工作指示灯：黄色LED

传感器类型：PNP

OMAL磁传感器产品应用：

OMAL磁传感器以磁传感器为基础的各种电流传感器被用来监测、控制和保护这些大功率器件。霍尔电流传感器响应速度快，且依靠磁场和被控电路耦合，不接入主电路，因而功耗低，抗过载能力强，线性好，可靠性高，既可作为大功率器件的过流保护驱动器，又可作为反馈器件，OMAL磁传感器成为自控环路的一个控制环节。OMAL磁传感器的发展,处理电路集成到一个单芯片上,制成了开关电路,单片集成磁传感器之先河。已经出现了磁敏电阻电路、巨磁阻电路等许多种功能性的集成磁传感器。

OMAL磁传感器薄膜技术的开发产量大增,成本大幅度下降。 强磁合金薄膜磁敏电阻器用的是强磁合金薄膜中的磁敏电阻各向效应。在与薄膜表面平行的磁场作用下,强磁性合金薄膜的电阻率呈现出的变化。用这种效应已制成磁阻器件。OMAL磁传感器端磁阻桥已大量用于磁编码器中,用来检测和控制电机的转速。此外,还作成了磁阻磁强计、磁阻读头以及二维、三维磁阻器件等，它们可检测10 - 10~10 - 2 T 的弱磁场,温度稳定性好, OMAL磁传感器将成为弱磁场传感和检测的重要器件。间距：18毫米，横截面：1毫米2，连接器：PA 66 + 30% FV，电压：250V AC/300V DC，电流：16A工作电流：10A，工作温度：-30°C / +125°C 。

OMAL磁传感器磁电阻多层膜。由不同金属、不同层数和层间材料的不同组合,可以制成不同的机制的巨磁电阻磁传感器。OMAL磁传感器它们呈现出的随磁场而变化的电阻率,比单层的各向异性磁敏电阻器的,各种不同成分和比例的非晶材料的采用,OMAL磁传感器发现的巨磁感应效应和巨磁阻抗效应,比巨磁电阻的响应,可能做成磁头,成为高密度磁盘读头。用非晶合金的高导磁率特性和可做成细丝的机械特性,将它们用于磁通门和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到改善结构材料。OMAL磁传感器例如,在衬底上用分子束外延技术生长,形成假晶结构,产生二维电子气层,其层厚这种材料的能带结构发生改变。用这种材料来制作元件。