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概述:
高精密高压电容电桥主要采用电流比较仪的原理,具有操作方便可靠、测量精度高、读数位数多、线性度好,不受环境湿度影响,仪器显示采用大屏幕TFT,可显示电容值 Cx、介损值tgδ、试验电压Upk/√2 、电感量Lx、品质因数Q、测试电流Ix、材料的介电常数ε、测试电源频率fx、视在功率S、有效功率P、无功功率Q等,它不仅能测电容器的电容量、介损量,还能测量电抗器的电感量和Q值及固体材料和液体材料的介质损耗和介电常数,还有前时钟的显示,是目前国内精度高、稳定性好、操作方便、用途广泛的高压电桥。它在测量上具有很高的比率精度和稳定性,这是一般西林电桥 、高压介损仪不能达到的。适宜于在高电压下测量电力电缆、高压套管、电力电容器、 电抗器、互感器等高压电力设备的电容量及损耗角正切值tgδ,以及各种固体或液体绝缘材料的介电常数(ε)及介损值tgδ,也可测量高压变压器或电压互感器的比差和角差。电桥可外接电流互感器以扩大量程,测量大的电力电容器时本电桥为四端测量具有引线补偿装置,使测量精度提高,消除接线电阻引起的附加误差。本介电测试仪还可测量电抗器的电感量及Q值。量程扩展器(供选购)能使主桥体的电容比从1000:1扩大到106:1。
相对介电常数|介质损耗测试仪主要技术参数:
1、测量范围及误差
本电桥的环境温度为20±5℃,相对湿度为30%-80%条件下,应满足下列表中的技术指示要求。
在Cn=100 pF、R4=3183.2(Ω)时:
测量项目 | 测量范围 | 测量误差 |
电容量Cx | 40pF—20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介损损耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn=100 pF、R4=318.3(Ω)时:
测量项目 | 测量范围 | 测量误差 |
电容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介损损耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
2.相对湿度/温度:30~85%;0~40℃
3.工作电压:220V10%,50HZ
4.测温范围:0~199.9℃,误差1+0.1℃
5.控温范围:室温~199.9℃,稳定度(1+0.1)℃
6.由室温加热至控温值:不大于45min
7.加热功率:< 1000W(包括内、外加热器)
8.两极空间距离:2mm
9.空杯电容量:60±2pF
10.最大测量电压:工频2000V
11.空杯tgδ:≤5×10-5
12.液体容量:约40mm3
13.电极材料:不锈钢
14.重量:约10kg
15.型号:QS37A(智德创新仪器)
符合标准:
《JJG563-2004高压电容电桥检定规程》
《JB1811-92压缩气体标准电容器》
《GB1409-2016固体绝缘材料相对介电常数和介质损耗因数的试验方法》
《ASTM D150固体电绝缘材料的交流损耗特性及介电常数的试验方法》
《IEC 60250测定电气绝缘材料在工频、音频、射频(包括米波长)下电容率和电介质损耗因数的推荐方法》
相对介电常数|介质损耗测试仪产品特点:
电桥显示屏幕为彩色TFT显示,能直接显示被试品电容量Cx、介损tgδ、介电常数εr、试验电压Upk/√2、试验频率Hz、电极面积A、材料厚度h、电感量Lx、品质因数Qx、测试电源频率fx、视在功率S、有效功率P、无功功率Q、电线电缆的介损介电常数(管状材料)、测量系统接线图等。
特点:
1、桥体内附电位跟踪器及指零仪,外围接线极少。
2、电桥采用接触电阻小,机械寿命长的十进开关,保证测量的稳定性。
3、仪器具有双屏蔽,能有效防止外部电磁场的干扰。
4、QS37a型介电常数介质损耗测试仪器内部电阻及电容元件经特殊老化处理,使仪器技术性能稳定可靠。
5、仪器内置100pF标准电容器及5000V数字式高压测试电源。
介质损耗和介电常数测量实验
介电特性是电介质材料极其重要的性质。在实际应用中,电介质材料的介电系数和介质损耗是非常重要的参数。例如,制造电容器的材料要求介电系数尽量大,而介质损耗尽量小。相反地,制造仪表绝缘器件的材料则要求介电系数和介质损耗都尽量小。而在某些特殊情况下,则要求材料的介质损耗较大。所以,通过测定介电常数(ε)及介质损耗角正切(tgδ),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据。
一、实验目的
1、探讨介质极化与介电常数、介质损耗的关系;
2、了解高频Q表的工作原理;
3、掌握室温下用高频Q表测定材料的介电常数和介质损耗角正切值。
二、实验原理
按照物质电结构的观点,任何物质都是由不同的电荷构成,而在电介质中存在原子、分子和离子等。当固体电介质置于电场中后会显示出一定的极性,这个过程称为极化。对不同的材料、温度和频率,各种极化过程的影响不同。
1、介电常数(ε):某一电介质(如硅酸盐、高分子材料)组成的电容器在一定电压作用下所得到的电容量Cx与同样大小的介质为真空的电容器的电容量Co之比值,被称为该电介质材料的相对介电常数。
Cx —电容器两极板充满介质时的电容;
Cο —电容器两极板为真空时的电容;
ε —电容量增加的倍数,即相对介电常数
介电常数的大小表示该介质中空间电荷互相作用减弱的程度。作为高频绝缘材料,ε要小,特别是用于高压绝缘时。在制造高电容器时,则要求ε要大,特别是小型电容器。
在绝缘技术中,特别是选择绝缘材料或介质贮能材料时,都需要考虑电介质的介电常数。此外,由于介电常数取决于极化,而极化又取决于电介质的分子结构和分子运动的形式。所以,通过介电常数随电场强度、频率和温度变化规律的研究,还可以推断绝缘材料的分子结构。
2.介电损耗(tgδ):指电介质材料在外电场作用下发热而损耗的那部分能量。在直流电场作用下,介质没有周期性损耗,基本上是稳态电流造成的损耗;在交流电场作用下,介质损耗除了稳态电流损耗外,还有各种交流损耗。由于电场的频繁转向,电介质中的损耗要比直流电场作用时大许多(有时达到几千倍),因此介质损耗通常是指交流损耗。
在工程中,常将介电损耗用介质损耗角正切tgδ来表示。tgδ是绝缘体的无效消耗的能量对有效输入的比例,它表示材料在一周期内热功率损耗与贮存之比,是衡量材料损耗程度的物理量。
ω —电源角频率;
R —并联等效交流电阻;
C —并联等效交流电容器
凡是体积电阻率小的,其介电损耗就大。介质损耗对于用在高压装置、高频设备,特别是用在高压、高频等地方的材料和器件具有特别重要的意义,介质损耗过大,不仅降低整机的性能,甚至会造成绝缘材料的热击穿。
3、Q值:tgδ的倒数称为品质因素,或称Q值。Q值大,介电损失小,说明品质好。所以在选用电介质前,必须首先测定它们的ε和tgδ。而这两者的测定是分不开的。
通常测量材料介电常数和介质损耗角正切的方法有二种:交流电桥法和Q表测量法,其中Q表测量法在测量时由于操作与计算比较简便而广泛采用。本实验主要采用的是Q表测量法。
4、陶瓷介质损耗角正切及介电常数测试仪:它由稳压电源、高频信号发生器、定位电压表CBl、Q值电压表CB2、宽频低阻分压器以及标准可调电容器等组成(图2)。工作原理如下:高频信导发生器的输出信号,通过低阻抗耦合线圈将信号馈送至宽频低阻抗分压器。输出信号幅度的调节是通过控制振荡器的帘栅极电压来实现。当调节定位电压表CBl指在定位线上时,Ri两端得到约l0mV的电压(Vi)。当Vi调节在一定数值(10mV)后,可以使测量Vc的电压表CB2直接以Q值刻度,即可直接的读出Q值,而不必计算。另外,电路中采用宽频低阻分压器的原因是:如果直接测量Vi必须增加大量电子组件才能测量出高频低电压信号,成本较高。若使用宽频低阻分压器后则可用普通电压表达到同样的目的。
三、实验仪器及设备
1、仪器设备:
(1) Q表测试仪、电感箱、样品夹具等;
(2) 千分游标卡尺;
2、样品要求:圆形片:厚度2±0.5mm,直径为Φ38±1mm。
四、实验步骤
1、本仪器适用于110V/220V,50Hz交流电,使用前要检查电压情况,以保证测试条件的稳定。
2、开机预热15分钟,使仪器恢复正常状态后才能开始测试。
3、按部件标准制备好的测试样品,两面用特种铅笔或导电银浆涂覆,使样品两面都各自导电,但南面之间不能导通,备用。
4、选择适当的辅助线圈插入电感接线柱。根据需要选择振荡器频率,调节测试电路电容器使电路谐振。假定谐振时电容为C1,品质因素为Q1。
5、将被测样品接在Cx接线柱上。
6、再调节测试电路电容器使电路谐振,这时电容为C2,可以直接读出Q2。
7、用游标卡尺量出试样的直径Φ和厚度d(分别在不同位置测得两个数据,再取其平均值)。
五、结果处理
1、ε和tgδ测定记录:
实验数据按表要求填写。
序 号 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
试样厚度 | ||||||
试样直径 | ||||||
测试数据 | C1 | |||||
C2 | ||||||
Q1 | ||||||
Q2 | ||||||
计算结果 | ε | |||||
tgδ | ||||||
平均值 | ε = tgδ= |
2、计算:
根据表格中测得的数据,按公式(1)、(2)分别计算各个数值。
六、注意事项
(1) 电压或频率的剧烈波动常使电桥不能达到良好的平衡,所以测定时,电压和频率要求稳定,电压变动不得大于1%,频率变动不得大于0.5%。
(2) 电极与试样的接触情况,对tgδ的测试结果有很大影响,因此涂银导电层电极要求接触良好、均匀,而厚度合适。
(3) 试样吸湿后,测得的tgδ值增大,影响测量精度,应当严格避免试样吸潮。
(4) 在测量过程中,注意随时电桥本体屏蔽的情况,当电桥真正达到平衡,“本体-屏蔽”开关置于任何一边时,检查计光带均应最小,而无大变化。