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ZJD-87 相对介电常数|介质损耗测试仪

型号
ZJD-87

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北京智德创新仪器设备有限公司注册资金5000万,是集研发、生产、销售、服务、管理为一体的高科技企业。是以中国航空航天研究院、中国为重要依托。联合清华大学、北京航空航天大学、北京工业大学精仪系专家作为公司技术团队。公司总部坐落于美丽富饶的政治经济文化交流中心——北京市,物华天宝,人杰地灵。 北京智德创新仪器设备有限公司 自创建以来,一直保持着健康稳定的发展态势,并以超过30%的年均增长速度快速持续发展,完善的客户服务体系,确保了中航产品的设计*,质量稳定,供货及时和服务周到。公司拥有自主的设计资质,已获得十余项。公司拥有一批专业从事设计、制造、安装、调试及售后服务的员工队伍。在工程设计和技术研发上,公司拥有部级精仪高级工程师的专家团队和专业、勇于创新的中青年专业技术人员和项目人员;中航本着“创造自我,缔造辉煌”的坚定信念。 展望未来,北京智德创新仪器设备有限公司正在以打造基业长青百年企业的发展目标为指导,全面提升内部管控,按照专业化、规模化、品牌化、资本化的发展策略,持续。同时,北京智德创新仪器设备有限公司不断致力于与企业集团强强合作,以共创中国精密仪器行业的美好明天而不断努力。

详细信息

概述:

高精密高压电容电桥主要采用电流比较仪的原理,具有操作方便可靠、测量精度高、读数位数多、线性度好,不受环境湿度影响,仪器显示采用大屏幕TFT,可显示电容值 Cx、介损值tgδ、试验电压Upk/√2 、电感量Lx、品质因数Q、测试电流Ix、材料的介电常数ε、测试电源频率fx、视在功率S、有效功率P、无功功率Q等,它不仅能测电容器的电容量、介损量,还能测量电抗器的电感量和Q值及固体材料和液体材料的介质损耗和介电常数,还有前时钟的显示,是目前国内精度高、稳定性好、操作方便、用途广泛的高压电桥。它在测量上具有很高的比率精度和稳定性,这是一般西林电桥 、高压介损仪不能达到的。适宜于在高电压下测量电力电缆、高压套管、电力电容器、 电抗器、互感器等高压电力设备的电容量及损耗角正切值tgδ,以及各种固体或液体绝缘材料的介电常数(ε)及介损值tgδ,也可测量高压变压器或电压互感器的比差和角差。电桥可外接电流互感器以扩大量程,测量大的电力电容器时本电桥为四端测量具有引线补偿装置,使测量精度提高,消除接线电阻引起的附加误差。本介电测试仪还可测量电抗器的电感量及Q值。量程扩展器(供选购)能使主桥体的电容比从10001扩大到1061

相对介电常数|介质损耗测试仪主要技术参数:

1、测量范围及误差

本电桥的环境温度为20±5℃,相对湿度为30%-80%条件下,应满足下列表中的技术指示要求。

Cn=100 pFR4=3183.2Ω)时:

测量项目

测量范围

测量误差

电容量Cx

40pF20000pF

±0.5%  Cx±2pF

介损损耗tgδ

0-1

±1.5%  tgδx±0.0001

Cn=100 pFR4=318.3(Ω)时:

测量项目

测量范围

测量误差

电容量Cx

4pF2000pF

±0.5%  Cx±3pF

介损损耗tgδ

0-0.1

±1.5%  tgδx±0.0001

2.相对湿度/温度:3085%040℃

3.工作电压:220V10%50HZ  

4.测温范围:0199.9℃,误差1+0.1℃

5.控温范围:室温~199.9℃,稳定度(1+0.1

6.由室温加热至控温值:不大于45min

7.加热功率:< 1000W(包括内、外加热器)

8.两极空间距离:2mm

9.空杯电容量:60±2pF

10.最大测量电压:工频2000V

11.空杯tgδ≤5×10-5

12.液体容量:约40mm3

13.电极材料:不锈钢

14.重量:约10kg

15.型号:QS37A(智德创新仪器)

符合标准:

JJG563-2004高压电容电桥检定规程》

JB1811-92压缩气体标准电容器》

GB1409-2016固体绝缘材料相对介电常数和介质损耗因数的试验方法》

ASTM D150固体电绝缘材料的交流损耗特性及介电常数的试验方法》

IEC 60250测定电气绝缘材料在工频、音频、射频(包括米波长)下电容率和电介质损耗因数的推荐方法》

相对介电常数|介质损耗测试仪产品特点:

电桥显示屏幕为彩色TFT显示,能直接显示被试品电容量Cx、介损tgδ、介电常数εr、试验电压Upk/√2、试验频率Hz、电极面积A、材料厚度h、电感量Lx、品质因数Qx、测试电源频率fx、视在功率S、有效功率P、无功功率Q、电线电缆的介损介电常数(管状材料)、测量系统接线图等。

特点:

1、桥体内附电位跟踪器及指零仪,外围接线极少。

2、电桥采用接触电阻小,机械寿命长的十进开关,保证测量的稳定性。

3、仪器具有双屏蔽,能有效防止外部电磁场的干扰。

4QS37a介电常数介质损耗测试仪器内部电阻及电容元件经特殊老化处理,使仪器技术性能稳定可靠。

5、仪器内置100pF标准电容器及5000V数字式高压测试电源。

介质损耗和介电常数测量实验

介电特性是电介质材料极其重要的性质。在实际应用中,电介质材料的介电系数和介质损耗是非常重要的参数。例如,制造电容器的材料要求介电系数尽量大,而介质损耗尽量小。相反地,制造仪表绝缘器件的材料则要求介电系数和介质损耗都尽量小。而在某些特殊情况下,则要求材料的介质损耗较大。所以,通过测定介电常数(ε)及介质损耗角正切(tgδ),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据。

一、实验目的

1、探讨介质极化与介电常数、介质损耗的关系;

2、了解高频Q表的工作原理;

3、掌握室温下用高频Q表测定材料的介电常数和介质损耗角正切值。

二、实验原理

按照物质电结构的观点,任何物质都是由不同的电荷构成,而在电介质中存在原子、分子和离子等。当固体电介质置于电场中后会显示出一定的极性,这个过程称为极化。对不同的材料、温度和频率,各种极化过程的影响不同。

1、介电常数(ε):某一电介质(如硅酸盐、高分子材料)组成的电容器在一定电压作用下所得到的电容量Cx与同样大小的介质为真空的电容器的电容量Co之比值,被称为该电介质材料的相对介电常数。

Cx    —电容器两极板充满介质时的电容;

Cο    —电容器两极板为真空时的电容;

ε    —电容量增加的倍数,即相对介电常数

介电常数的大小表示该介质中空间电荷互相作用减弱的程度。作为高频绝缘材料,ε要小,特别是用于高压绝缘时。在制造高电容器时,则要求ε要大,特别是小型电容器。

在绝缘技术中,特别是选择绝缘材料或介质贮能材料时,都需要考虑电介质的介电常数。此外,由于介电常数取决于极化,而极化又取决于电介质的分子结构和分子运动的形式。所以,通过介电常数随电场强度、频率和温度变化规律的研究,还可以推断绝缘材料的分子结构。

2.介电损耗(tgδ):指电介质材料在外电场作用下发热而损耗的那部分能量。在直流电场作用下,介质没有周期性损耗,基本上是稳态电流造成的损耗;在交流电场作用下,介质损耗除了稳态电流损耗外,还有各种交流损耗。由于电场的频繁转向,电介质中的损耗要比直流电场作用时大许多(有时达到几千倍),因此介质损耗通常是指交流损耗。

在工程中,常将介电损耗用介质损耗角正切tgδ来表示。tgδ是绝缘体的无效消耗的能量对有效输入的比例,它表示材料在一周期内热功率损耗与贮存之比,是衡量材料损耗程度的物理量。

ω    —电源角频率;

R    —并联等效交流电阻;

C    —并联等效交流电容器

凡是体积电阻率小的,其介电损耗就大。介质损耗对于用在高压装置、高频设备,特别是用在高压、高频等地方的材料和器件具有特别重要的意义,介质损耗过大,不仅降低整机的性能,甚至会造成绝缘材料的热击穿。

3Q值:tgδ的倒数称为品质因素,或称Q值。Q值大,介电损失小,说明品质好。所以在选用电介质前,必须首先测定它们的εtgδ。而这两者的测定是分不开的。

通常测量材料介电常数和介质损耗角正切的方法有二种:交流电桥法和Q表测量法,其中Q表测量法在测量时由于操作与计算比较简便而广泛采用。本实验主要采用的是Q表测量法。

4、陶瓷介质损耗角正切及介电常数测试仪:它由稳压电源、高频信号发生器、定位电压表CBlQ值电压表CB2、宽频低阻分压器以及标准可调电容器等组成(2)。工作原理如下:高频信导发生器的输出信号,通过低阻抗耦合线圈将信号馈送至宽频低阻抗分压器。输出信号幅度的调节是通过控制振荡器的帘栅极电压来实现。当调节定位电压表CBl指在定位线上时,Ri两端得到约l0mV的电压(Vi)。当Vi调节在一定数值(10mV)后,可以使测量Vc的电压表CB2直接以Q值刻度,即可直接的读出Q值,而不必计算。另外,电路中采用宽频低阻分压器的原因是:如果直接测量Vi必须增加大量电子组件才能测量出高频低电压信号,成本较高。若使用宽频低阻分压器后则可用普通电压表达到同样的目的。

三、实验仪器及设备

1、仪器设备:

(1) Q表测试仪、电感箱、样品夹具等;

(2) 千分游标卡尺;

2、样品要求:圆形片:厚度2±0.5mm,直径为Φ38±1mm

四、实验步骤

1、本仪器适用于110V/220V50Hz交流电,使用前要检查电压情况,以保证测试条件的稳定。

2、开机预热15分钟,使仪器恢复正常状态后才能开始测试。

3、按部件标准制备好的测试样品,两面用特种铅笔或导电银浆涂覆,使样品两面都各自导电,但南面之间不能导通,备用。

4、选择适当的辅助线圈插入电感接线柱。根据需要选择振荡器频率,调节测试电路电容器使电路谐振。假定谐振时电容为C1,品质因素为Q1

5、将被测样品接在Cx接线柱上。

6、再调节测试电路电容器使电路谐振,这时电容为C2,可以直接读出Q2

7、用游标卡尺量出试样的直径Φ和厚度d(分别在不同位置测得两个数据,再取其平均值)

五、结果处理

1εtgδ测定记录:

实验数据按表要求填写。

 

1

2

3

4

5

试样厚度






试样直径






测试数据

C1






C2






Q1






Q2






计算结果

ε






tgδ






平均值

   ε =    tgδ=
















2、计算:

根据表格中测得的数据,按公式(1)(2)分别计算各个数值。

六、注意事项

(1) 电压或频率的剧烈波动常使电桥不能达到良好的平衡,所以测定时,电压和频率要求稳定,电压变动不得大于1%,频率变动不得大于0.5%

(2) 电极与试样的接触情况,对tgδ的测试结果有很大影响,因此涂银导电层电极要求接触良好、均匀,而厚度合适。

(3) 试样吸湿后,测得的tgδ值增大,影响测量精度,应当严格避免试样吸潮。

(4) 在测量过程中,注意随时电桥本体屏蔽的情况,当电桥真正达到平衡,本体-屏蔽开关置于任何一边时,检查计光带均应最小,而无大变化。



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