ZJD-C 介质损耗因数试验仪

介电损耗的形式

电介质在电场作用下，内部通过的电流包括：

〔1〕电容电流：由样品的几何电容充电引起电流〔位移电流〕；

〔2〕吸收电流：由松弛极化引起，是介质在交变电压作用下引起介质损耗的主要来源；

〔3〕漏电电流：由介质电导引起，与自由电荷有关，使介质产生电导损耗。

电介质在电场作用下具体损耗的能量主要包括：

⑴极化损耗：在外电场中各种介质极化的建立引起了电流，此电流与极化松弛等有关，引起的损耗称为极化损耗。

⑵电导损耗：在电场作用下，导电载流子做定向漂移，形成传导电流，电流大小由介质本身性质决定，这局部传导电流以热的形式消耗掉，称之为电导损耗。

⑶电离损耗和构造损耗

介电性能的测量方法

依据所测量的根本原理可分为三大类①电桥法②谐振回路法③阻抗矢量法

电桥法：测量范围：～150MHZ

测量原理：根据电桥平衡时两对边阻抗乘积相等，从而来确定被测电容器或介质材料试样的C_X和tan_X。

谐振回路法：测量范围：40KHZ～200MHZ

测量原理：依据谐振回路的谐振特性进展测量的。根据谐振时角频率ω与回路的电感、电容之间的特定关系式，求得Cx和tanδX。

阻抗矢量法：测量范围：～200MHZ

测量原理：通过矢量电压一电流的比值的测量来确定复阻抗的，进而获得网络、元件或材料的有关参数。

介电性能测试内容主要包括

⑴绝缘电阻率

⑵相对介电常数

⑶介质损耗角正切

⑷击穿电场强度

绝缘电阻率测试

绝缘电阻率测试通常采用三电极系统，可以分别测出试样的体积电阻率ρv和外表电阻率ρs，测量电路图如以下图所示。

                                        体积电阻率测试线路图

                                 外表电阻测量线路图

平板试样

管状试样

电极材料可用粘贴铝箔、导电橡皮、真空镀铝、胶体石墨等

相对介电常数〔εｒ〕测试

相对介电常数通常是通过测量试样与电极组成的电容、试样厚度和电极尺寸求得。

平板试样  

管状试样

介质损耗角正切〔tanδ)的测定

通过测量试样的等效参数经计算求得，也可在仪器上直接读取。

工频、音频下一般都采用电桥法测量，高电压时采用西林电桥法。

                                         西林电桥法

电桥平衡时

CN→标准电容

C4→可调电容

R4→固定电阻

R3→可调电阻

当频率为几十千赫到几百兆赫范围时，可用集总参数的谐振法进展测量，如下图

介质损耗因数试验仪技术参数：

型号：ZJD-C

信号源：DDS数字合成信号

频率范围：100KHZ-160MHZ

Q分辨率：4位有效数，分辨率0.1

电感测量范围：1nH～140mH,；分辨率0.1           

信号源频率精度： 3×10-5 ±1个字,6位有效数

Q值测量范围： 1～1023自动/手动量程

Q值量程分档： 30、100、300、1000、自动换档或手动换档

信号源频率覆盖比：16000:1            

采样精度：12BIT

Q测量工作误差：＜5%

电感测量误差：＜3%

电容直接测量范围：1pF～2.5uF

调谐电容误差分辨率：±1pF或＜1%

主电容调节范围：17～540pF    

谐振点搜索：自动扫描

自身残余电感扣除功能：有

大电容值直接显示功能：有

介质损耗系数精度：万分之一

介质损耗测试范围：0.0001-1             

介电常数测试范围：0-1000

环境温度：0℃～+40℃

消耗功率：约25W

LCD显示参数：F,L,C,Q,LT,CT,波段等

Q合格预置范围： 5～1000声光提示

电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz

材料测试厚度： 0.1-10mm

夹具插头间距： 25mm±0.01mm

夹具损耗正切值：≤4×10－4 （1MHz）

测微杆分辨率：0.001mm

准确度：150pF以下±1pF；150pF以上±1%

测试极片：材料测量直径Φ38mm或50mm（二选一），厚度可调 ≥ 15mm

 介质损耗因数试验仪符合标准：

GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法；
GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法；
ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率（介电常数）的标准试验方法；
GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法；