-----KY-PRM系列
产品特点
l光谱范围覆盖200-3600nm
l3dB带宽可达40G
l响应时间Min.<>
l集成放大电路
l低噪声、高增益
lφ20mm外螺纹接光学天线
l配有M4内螺纹固定孔
lDC 12V单电源供电
l结构紧凑47x42x20mm（光纤接口）
47x42x26mm（空间接口）
lSMA输出
l可以定制
应用领域
l皮秒光脉冲探测
l激光雷达
l光纤传感系统
l光学检测
可选项
l带宽
l增益
l耦合方式
l光学接口
产品简介
KY-PRM系列低噪声光探测模块集成了高线性度模拟PIN探测器和低噪声宽带跨阻放大器，具有高增益、高灵敏度、交流耦合输出、增益平坦等特点。模块供电为正12V，输入光接口可选光纤接口或者空间入射。光纤接口为单模和多模光纤通用接口；空间入射时多种光敏面可选，并且标配用于外接光学天线的外螺纹转接件；电信号由SMA端口输出，主要应用于光学检测、皮秒光脉冲检测、激光雷达及光纤传感系统等领域。
性能参数
产品类型 | 紫外光探测模块 | Si PIN光探测模块 | |||
参数 | KY-PRM-10M-UV | KY-PRM-1G-S | KY-PRM-200M-S | KY-PRM-75M-S | KY-PRM-1M-S |
探测器类型 | GaN / PIN | Si / PIN | |||
光输入 | Free Space | Free Space or Fiber | |||
波长范围 | 230~390nm | 400~1100nm | |||
峰值响应度 | 0.13A/W@350nm | 0.55A/W@850nm | 0.6A/W@905nm | ||
光敏面直径 | 1 mm | 200um | 800um | ||
带宽 (3dB) | 10MHz | 30K~1.5GHz | 200MHz | 75MHz | 1MHz |
转换增益* | 20 x 103 V/W@254nm | 1x103@850nm | 20x103 | 30x 103 V/W | 2x 106V/W |
上升时间 | 35ns | 0.4ns | 1.8ns | 3.5ns | 0.35us |
饱和光功率* | 180uW | 2.5mW | 3.9mW | 120uW | 1.9uW |
耦合方式 | DC耦合 | AC耦合 | DC耦合 | ||
输出阻抗 | 50W | ||||
等效噪声功率NEP | 21.1 pW/ÖHz | 25.8pW/ÖHz | 22pW/ÖHz | 16pw/√Hz | 1.8pw/√Hz |
总输出噪声电压* | 8mV | 6mV | 38mV | 25mV | 15mV |
*负载为高阻时，如果负载为50欧姆，对应数值减半。
产品类型 | InGaAs PIN光探测模块（800~1700nm）光纤接口 | |||||
参数 | KY-PRM-BW-I-FC | |||||
探测器类型 | InGaAs / PIN | |||||
光输入 | 光纤 | |||||
波长范围 | 800~1700nm | |||||
峰值响应度 | 0.9A/W@1550nm | |||||
光敏面直径 | 75um | |||||
带宽 (3dB) | 10KHz | 10MHz | 100MHz | 200MHz | 500MHz | 30K~1.5GHz |
转换增益*@1550nm | 2.5x106 V/W | 2X105 V/W | 5X104 V/W | 4X104 V/W | 2X103 V/W | 2X103 V/W |
上升时间 | 30us | 35ns | 3.5ns | 1.8ns | 0.7ns | 0.2ns |
饱和光功率* | 2uW | 18uW | 72uW | 90uW | 1.8mW | 1mW |
耦合方式 | DC耦合 | AC耦合 | ||||
阻抗 | 50W | |||||
等效噪声功率NEP | 4.2pw/√Hz | 2.4pw/√Hz | 6.7 pw/√Hz | 10.6 pw/√Hz | 15pW/√Hz | 12.9pW/√Hz |
总输出噪声电压* | 2mV | 9mV | 20mV | 36mV | 4mV | 6mV |
*负载为高阻时，如果负载为50欧姆，对应数值减半。
产品类型 | InGaAs PIN光探测模块（400~1700nm）空间光 | |||
型号 | KY-PRM-200M-I1 | KY-PRM-100M-I1 | KY-PRM-BW-I-FS | |
探测器类型 | InGaAs / PIN | InGaAs / PIN | ||
光输入 | 空间/光纤 | Free space | ||
波长范围 | 400~1700nm | 800~1700nm | ||
峰值响应度 | 0.9A/W@1550nm | 0.9A/W@1550nm | ||
光敏面直径 | 100um | 1mm | 200um | 500um |
带宽 (3dB) | 200MHz | 75MHz | 200MHz | 150MHz |
转换增益* | 1x104 V/W @1550nm 2.5x103 V/W @650nm | 2x104 V/W @1550nm 7x103 V/W @650nm | 20K V/W @ 1550 nm | 20K V/W @1550nm |
上升时间 | 2.4ns | 4.7ns | 2.4ns | 3.5ns |
饱和光功率* | 360uW | 180uW | 180uW | 180uW |
耦合方式 | DC耦合 | |||
阻抗 | 50W 50W | |||
等效噪声功率NEP | 14.1 pw/√Hz | 14.3 pw/√Hz | 11.8 pw/√Hz | 10.9 pw/√Hz |
总输出噪声电压* | 12 mV | 15 mV | 20mV | 16mV |
*负载为高阻时，如果负载为50欧姆，对应数值减半。
产品类型 | InGaAs 长波长PIN光探测模块（800~3600nm） | |||
参数 | KY-PRM-BW-I2 | KY-PRM-BW-I3 | KY-PRM-BW-I4 | KY-PRM-200M-I5 |
探测器类型 | InGaAs / PIN | |||
光输入 | 空间/光纤 | |||
波长范围 | 800~2100nm | 800-2400nm | 800~2600nm | 1500~3600nm |
峰值响应度 | 1.2A/W@1900nm | 1A/W@2100nm | 1.3A/W@2300nm | 1.0A/W@3200nm |
光敏面直径 | 1mm | 80um | 1mm | 80um |
带宽 (3dB) | 10 MHz | 150MHz | 10MHz | 150MHz |
转换增益* | 30K V/W @1900nm | 30K V/W @2100nm | 30k V/W@2300nm | 30x103V/W@3200nm |
上升时间 | 35ns | 1.8ns | 35ns | 1.8ns |
饱和光功率* | 100uW | 120uW | 100uW | 120uW |
耦合方式 | DC耦合 | |||
阻抗 | 50W | |||
等效噪声功率NEP | 21.1 pw/√Hz | 14.5 pw/√Hz | 28 pw/√Hz | 14.5 pw/√Hz |
总输出噪声电压* | 12 mV | 32mV | 16 mV | 32mV |
*负载为高阻时，如果负载为50欧姆，对应数值减半。
典型光谱图
GaN 紫外光探测模块
400-1100nm Si 光探测模块
800-1700nm InGaAs光探测模块
800-2400nm长波长InGaAs光探测模块
1500-3600nm 长波长InGaAs光探测模块
机械尺寸（单位：mm）
光纤输入类型
空间光输入类型
