东芝引入TLC 提升64层3D闪存芯片容量水平
- 来源：存储界 作者：东芝
- 2017/2/28 10:47:3433779
【中国安防展览网 品牌专栏】东芝公司已经正式公布，其首求借64层3D NAND设备将采用TLC(即三层单元)设计以将原本的256 Gb容量倍增至512 Gb。
这意味着单晶片的存储容量为64 GB。样品发货从本月开始，而正式批量生产则将于今年下半年进行。预计其将同时面向企业与消费级市场推出SSD产品。东芝公司表示该512 Gb晶片的每单位芯片尺寸存储容量较上一代48层256 Gb(32 GB)设备增长了65%，且每芯片晶圆拥有更高存储容量，意味着每bit成本有所下降。
作为东芝的闪存合作伙伴，西部数据公司亦公布了其512 Gb晶片方案。
东芝公司正期待着NAND发展路线图中的另一个大事件，即1 TB产品，其将在单一封装内塞进16块堆叠架构晶片。这代表着每晶片的容量为64 GB，很明显其也将采用之前提到的512 Gb芯片产品。1 TB芯片的样品发布将于今年4月开始。
分析师Jim Handy整理出一份表格，比较了东芝/西部数据、三星以及美光这几家厂商各自的64层3D NAND设备。
"不过这并不重要，因为目前三家厂商还没有对这些产品进行批量生产。尚不清楚量产工作会于何时开始。"他同时指出："这三家的设备全部采用64层与三层单元设计，但美光的Gb/mm?水平高于其它两家，这要归功于美光在芯片制造当中将CMOS逻辑电路排布在存储器阵列下方，而竞争对手则将逻辑电路排布在阵列侧方。
现在已经明确的是，东芝公司表示其将于2017年下半年量产512 Gb 64层产品，且同时包含企业级与消费级SSD。
东芝当前的产品线中已经包含7.68 TB ZD6300 NVMe PCIe闪存驱动器，其采用2D平面eMLC NAND配合128 Gbit组件。如果可能，那么直接将128 Gb晶片替换为512 Gb晶片即可带来总体容量高达30.7 TB的SSD产品。很明显，这样的容量水平将市场吸引力。
考虑到此前一直困扰着东芝公司的财务危机，这样积极的技术新闻无疑令人精神一振。