芯片领域新突破 半导体FD-SOI技术夺人眼球
- 来源：电子发烧友
- 2015/7/17 14:51:3124957
虽然某些设备对三维FinFET晶体管的性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX采用业内22nm二维全耗尽平面晶体管技术（FD-SOI）工艺，为成本敏感型应用提供了一条佳途径。凭借业内低的0.4伏工作电压，该平台实现了超低动态功耗、更低的热效应和更为精巧的终端产品规格。该平台提供的芯片尺寸比28nm工艺小20%，掩膜少10%，而且其浸没式光刻层比foundryFinFET工艺少近50%，为联网设备在性能、功耗和成本方面实现了佳组合点。
格罗方德半导体自完成对IBM微电子业务的收购，是其获得了一系列差异化技术，可用于增强其公司在军用、物联网（IoT）、大数据和高性能计算等主要增长型市场中的产品组合，不仅巩固了在迈向10nm、7nm以及更先进的工艺之路上的地位，在全新的半导体工艺上，也推出了新一代联网设备的超低功耗要求的“22FDX”平台，此平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个佳解决方案。
芯片领域新突破 半导体FD-SOI技术夺人眼球
虽然某些设备对三维FinFET晶体管的性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX采用业内22nm二维全耗尽平面晶体管技术（FD-SOI）工艺，为成本敏感型应用提供了一条佳途径。凭借业内低的0.4伏工作电压，该平台实现了超低动态功耗、更低的热效应和更为精巧的终端产品规格。该平台提供的芯片尺寸比28nm工艺小20%，掩膜少10%，而且其浸没式光刻层比foundryFinFET工艺少近50%，为联网设备在性能、功耗和成本方面实现了佳组合点。
在RF领域，格罗方德半导体目前在无线前端模块市场占据地位。IBM研发出世界的RF硅晶绝缘体（RFSOI）和高性能硅锗（SiGe）技术，对格罗方德半导体现有的主流技术组合形成了高度互补。公司将继续加大投入，推出其下一代RFSOI路线图，并抓住汽车和家庭市场中的商机。
格罗方德半导体执行官SanjayJha表示：“22FDX平台能够让我们的客户在性能、功耗和成本之间实现佳平衡的差异化产品。该平台在业内提供针对晶体管特性的实时系统软件控制功能：系统设计人员能够动态平衡功耗、性能和漏电。此外，针对联网应用中的射频和模拟集成，该平台可提供佳的扩展性和高的能效。”22FDX采用了格罗方德公司位于德国德累斯顿的先进的300mm生产线上的量产28nm平台。
该工艺建立在近20年对欧洲大的半导体晶圆厂的持续投资之上，掀开了“萨克森硅谷”发展*的一个新篇章。格罗方德半导体在德累斯顿为22FDX平台投入了2.5亿美元，用于技术研发和启动22FDX的生产，从而将公司自2009年以来对Fab1的总投资增至超过50亿美元。公司还将加大投资提高生产力以满足客户需求。格罗方德半导体正与多家欧洲的研发和行业机构开展合作，以便为22FDX建设一个强大的生态系统，缩短产品上市时间，并为其制定一个全面的路线图。公司现提供设计入门套件和早期版本的工艺设计套件（PDK），并将于2016下半年启动风险生产。
芯片供应商力挺FD-SOI工艺
STMicroelectronics运营官Jean-MarcChery表示：“格罗方德半导体的FDX平台采用了一种先进的FD-SOI晶体管结构，该结构是双方长期合作的结晶。FD-SOI确认并增强了这种工艺的强劲发展势头，拓展了生态系统，并确保了一个大批量供货来源。FD-SOI可满足物联网设备和其它功耗敏感型设备保持永远在线和实现低功耗的理想工艺。”Freescale公司MCU事业群应用处理器与先进技术副总裁RonMartino表示：“Freescale的新一代i.MX7系列应用处理器利用FD-SOI晶体管结构实现了各种业界、面向汽车、工业和消费应用的超低功耗、按需提供性能的解决方案。格罗方德半导体的22FDX平台让FD-SOI的量产能力突破了28nm，并一直在降低成本、提高性能和优化功耗。”
ARM实体IP设计事业部总经理WillAbbey表示：“移动设备和物联网设备互联的世界，依赖于在性能、功耗和成本上得到优化的SoC。我们正与格罗方德半导体密切合作，提供用户所需的IP生态系统，让顾客从22FDX技术的独特|价值中真正受益。”VeriSiliconHoldingsCo.Ltd.总裁兼执行官WayneDai表示：“VeriSilicon拥有设计采用FD-SOI工艺的物联网SoC的经验，并且展示了FD-SOI在打造超低功耗和低能耗应用方面的优势。我们期待与格罗方德半导体围绕其22FDX平台开展合作，推出各种面向智能手机、智能家庭、智能汽车和中国市场的功耗、性能和成本优化设计。”ImaginationTechnologies营销执行副总裁TonyKing-Smith表示：“可穿戴、物联网、移动和消费等新一代联网设备，需要在性能、功耗和成本之间实现佳平衡的半导体解决方案。格罗方德半导体全新的22FDX工艺，结合Imagination广泛的先进IP组合——包括PowerVR多媒体方案、MIPSCPU和Ensigma通信解决方案等，将能有效协助彼此共同的客户推出更多差异化的创新产品。”
IBS，Inc.创始人兼执行官HandelJones表示：“FD-SOI工艺可为可穿戴、消费、多媒体、汽车和其它应用提供一个多节点、低成本的路线图。格罗方德半导体的22FDX将好的低功耗FD-SOI工艺集成到一个低成本、需求有望强劲增长的平台上。”CEA-Leti执行官MarieNo？lleSemeria表示：“FD-SOI可大幅提升性能，降低功耗，同时大程度减少对现有设计及制造方法的调整。通过合作，我们将能采用成熟、便捷的设计及制造技术，成功生产出格罗方德半导体实现技术互联的22FDX平台。”Soitec执行官PaulBoudre表示：“格罗方德半导体发布的这条新闻是打造新一代低功耗电子设备的一个重要里程碑。我们很高兴成为格罗方德半导体的战略合作伙伴。我们的超薄SOI衬底已为22FDX投入量产做好一切准备。”
格罗方德半导体自完成对IBM微电子业务的收购，是其获得了一系列差异化技术，可用于增强其公司在军用、物联网（IoT）、大数据和高性能计算等主要增长型市场中的产品组合，不仅巩固了在迈向10nm、7nm以及更先进的工艺之路上的地位，在全新的半导体工艺上，也推出了新一代联网设备的超低功耗要求的“22FDX”平台，此平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个佳解决方案。
虽然某些设备对三维FinFET晶体管的性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX采用业内22nm二维全耗尽平面晶体管技术（FD-SOI）工艺，为成本敏感型应用提供了一条佳途径。凭借业内低的0.4伏工作电压，该平台实现了超低动态功耗、更低的热效应和更为精巧的终端产品规格。该平台提供的芯片尺寸比28nm工艺小20%，掩膜少10%，而且其浸没式光刻层比foundryFinFET工艺少近50%，为联网设备在性能、功耗和成本方面实现了佳组合点。