国内自主研发三维NAND闪存芯片年内量产
- 来源:新华网
- 2018/4/26 9:02:0843361
【中国安防展览网 产品评测】 国内自主研发的32层三维NAND闪存芯片在首届数字中国建设成果展览会上亮相。该芯片是国家存储器基地的核心项目。目前,芯片生产机台已于4月11日正式进场安装,有望于年内实现量产。
资料显示,国家存储器基地项目于2016年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设,总投资额为240亿美元,位于武汉东湖高新区。基地将建设3座三维NAND Flash生产厂房。目前,项目一期已建成,首批32层三维NAND闪存芯片将于年底前实现量产。业内人士分析,该芯片将填补我国主流存储器领域空白。
对此,紫光集团董事长赵伟国表示,“‘数字中国’的建设,离不开从芯到云的核心技术产品支撑。紫光集团秉承自主创新+合作的企业创新驱动战略,将企业的发展重心与国家战略实现相结合;致力于为企业及互联网应用提供所需要的芯片、计算、网络、存储等核心技术,以及云计算解决方案及能力。”